MOSFET Vishay IRF9Z20PBF, VDSS 50 V, ID 6,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
6.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 10 V
Altura
15.49mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 1.933
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 2.300,27
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50
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| 50 - 50 | $ 1.933 | $ 96.650 |
| 100 - 200 | $ 1.836 | $ 91.800 |
| 250+ | $ 1.740 | $ 87.000 |
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TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17 nC a 10 V
Altura
15.49mm
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