Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
43000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 10 V
Ancho
4.65mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
15.49mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 1.686
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 2.006,34
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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$ 2.006,34
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | $ 1.686 | $ 84.300 |
100 - 200 | $ 1.433 | $ 71.650 |
250+ | $ 1.265 | $ 63.250 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
4.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
500 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
43000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 10 V
Ancho
4.65mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
15.49mm
País de Origen
China
Datos del producto