Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
61 nC a 10 V
Altura
4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 4.038
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 4.805,22
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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$ 4.805,22
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | $ 4.038 | $ 201.900 |
100 - 200 | $ 3.796 | $ 189.800 |
250+ | $ 3.432 | $ 171.600 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
9.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
61 nC a 10 V
Altura
4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto