Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.41mm
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.01mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 2.232
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 2.656,08
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
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5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 45 | $ 2.232 | $ 11.160 |
50 - 120 | $ 1.899 | $ 9.495 |
125 - 245 | $ 1.785 | $ 8.925 |
250 - 495 | $ 1.674 | $ 8.370 |
500+ | $ 1.563 | $ 7.815 |
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
88000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.41mm
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.01mm
País de Origen
China
Datos del producto