MOSFET Vishay IRF9520PBF, VDSS 100 V, ID 6.8 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 708-5140Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRF9520PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

6.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

60000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.41mm

Ancho

4.7mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

9.01mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 1.904

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 2.265,76

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 19.040
20$ 38.080
30$ 57.120
40$ 76.160
50$ 93.300
60$ 111.960
70$ 130.620
80$ 149.280
90$ 167.940
100$ 161.700
110$ 177.870
120$ 194.040
130$ 210.210
140$ 226.380
150$ 242.550

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90$ 167.940
100$ 161.700
110$ 177.870
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130$ 210.210
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 40$ 1.904$ 19.040
50 - 90$ 1.866$ 18.660
100 - 240$ 1.617$ 16.170
250 - 490$ 1.543$ 15.430
500+$ 1.256$ 12.560

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Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

6.8 A

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-100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

60000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.41mm

Ancho

4.7mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

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