Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,7 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Largo
10.41mm
Anchura
9.65mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.83mm
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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5
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,7 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Largo
10.41mm
Anchura
9.65mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.83mm
Datos del producto


