Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
43000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.41mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,7 nC a 10 V
Anchura
4.7mm
Altura
9.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Volver a intentar más tarde
$ 1.166
$ 1.166 Each (Sin IVA)
$ 1.388
$ 1.388 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 1.166
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$ 1.388
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Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 1.166 |
| 10 - 49 | $ 1.040 |
| 50 - 99 | $ 992 |
| 100 - 249 | $ 929 |
| 250+ | $ 882 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
43000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.41mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,7 nC a 10 V
Anchura
4.7mm
Altura
9.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


