MOSFET Vishay IRF840APBF, VDSS 500 V, ID 8 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.41mm
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
9.01mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 2.644
Each (Sin IVA)
$ 3.146
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|---|---|
| 1 - 9 | $ 2.644 |
| 10 - 49 | $ 2.294 |
| 50 - 99 | $ 2.192 |
| 100 - 249 | $ 2.060 |
| 250+ | $ 1.899 |
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N
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
850 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.41mm
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Altura
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