Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Profundidad
9.65mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.83mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 659
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 784,21
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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$ 784,21
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Largo
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Profundidad
9.65mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.83mm
Datos del producto