MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRF620SPBF, VDSS 200 V, ID 5.2 A, TO-263, 1, config. Simple

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET de potencia
Corriente continua máxima de drenaje ld
5.2A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
200V
Encapsulado
TO-263
Tipo de soporte
Surface
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.8Ω
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
14nC
Disipación de potencia máxima Pd
50W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
±20 V
Configuración de transistor
Single
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
Número de Elementos por Chip
1
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Volver a intentar más tarde
$ 99.250
$ 1.985 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 118.108
$ 2.362,15 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 99.250
$ 1.985 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 118.108
$ 2.362,15 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 200 | $ 1.985 | $ 99.250 |
| 250 - 450 | $ 1.865 | $ 93.250 |
| 500 - 1200 | $ 1.687 | $ 84.350 |
| 1250 - 2450 | $ 1.588 | $ 79.400 |
| 2500+ | $ 1.488 | $ 74.400 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET de potencia
Corriente continua máxima de drenaje ld
5.2A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
200V
Encapsulado
TO-263
Tipo de soporte
Surface
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.8Ω
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
14nC
Disipación de potencia máxima Pd
50W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
±20 V
Configuración de transistor
Single
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
Número de Elementos por Chip
1
Estándar de automoción
No
País de Origen
China

