Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
77 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.41mm
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.01mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 3.451
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 4.106,69
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
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Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 45 | $ 3.451 | $ 17.255 |
50 - 120 | $ 2.934 | $ 14.670 |
125 - 245 | $ 2.761 | $ 13.805 |
250 - 495 | $ 2.589 | $ 12.945 |
500+ | $ 2.069 | $ 10.345 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
77 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.41mm
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.01mm
País de Origen
China
Datos del producto