Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de producto
MOSFET de potencia
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
14A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-263
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.16Ω
Disipación de potencia máxima Pd
88W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
±20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
26nC
Tensión directa Vf
2.5V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Configuración de transistor
Single
Ancho
10.67 mm
Altura
4.83mm
Longitud
9.65mm
Certificaciones y estándares
IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
Número de Elementos por Chip
1
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Volver a intentar más tarde
$ 25.900
$ 518 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 30.821
$ 616,42 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 25.900
$ 518 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 30.821
$ 616,42 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
50
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de producto
MOSFET de potencia
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
14A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-263
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.16Ω
Disipación de potencia máxima Pd
88W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
±20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
26nC
Tensión directa Vf
2.5V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Configuración de transistor
Single
Ancho
10.67 mm
Altura
4.83mm
Longitud
9.65mm
Certificaciones y estándares
IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
Número de Elementos por Chip
1
Estándar de automoción
No
País de Origen
China


