MOSFET Vishay IRF510PBF, VDSS 100 V, ID 5.6 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 708-5134Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRF510PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

5.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

540 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

43000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.41mm

Profundidad

4.7mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,3 nC a 10 V

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

9.01mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 1.657

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 1.971,83

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay IRF510PBF, VDSS 100 V, ID 5.6 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 16.570
20$ 33.140
30$ 49.710
40$ 66.280
50$ 82.850
60$ 99.420
70$ 115.990
80$ 132.560
90$ 149.130
100$ 124.300
110$ 136.730
120$ 149.160
130$ 161.590
140$ 174.020
150$ 186.450

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80$ 132.560
90$ 149.130
100$ 124.300
110$ 136.730
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 90$ 1.657$ 16.570
100 - 240$ 1.243$ 12.430
250 - 490$ 1.027$ 10.270
500 - 990$ 912$ 9.120
1000+$ 663$ 6.630

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

540 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

43000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.41mm

Profundidad

4.7mm

Material del transistor

Si

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8,3 nC a 10 V

Temperatura Mínima de Operación

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