Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
8.7V
Tensión Mínima de Ruptura
6V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
480W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
30A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125 °C
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 1.43 x 1.05mm
Capacitancia
350pF
Longitud
3.1mm
Altura
1.05mm
Ancho
1.43mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
20µA
País de Origen
China
Datos del producto
Protectores de ESD, Vishay Semiconductor
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) conforme a los estándares IEC 61000
Transient Voltage Suppressors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
100
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100
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VishayTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
8.7V
Tensión Mínima de Ruptura
6V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
480W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
30A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125 °C
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 1.43 x 1.05mm
Capacitancia
350pF
Longitud
3.1mm
Altura
1.05mm
Ancho
1.43mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
20µA
País de Origen
China
Datos del producto
Protectores de ESD, Vishay Semiconductor
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) conforme a los estándares IEC 61000