Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
9V
Tensión Mínima de Ruptura
5V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tensión de Corte Inversa Máxima
4V
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
429W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
30A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125 °C
Dimensiones
3.1 x 1.43 x 0.97mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
20µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacitancia
450pF
Longitud
3.1mm
Altura
0.97mm
Profundidad
1.43mm
Corriente de Prueba
1mA
País de Origen
China
Datos del producto
Protectores de ESD, Vishay Semiconductor
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) conforme a los estándares IEC 61000
Transient Voltage Suppressors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
100
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
100
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Brand
VishayTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
9V
Tensión Mínima de Ruptura
5V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tensión de Corte Inversa Máxima
4V
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
429W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
30A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
125 °C
Dimensiones
3.1 x 1.43 x 0.97mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
20µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacitancia
450pF
Longitud
3.1mm
Altura
0.97mm
Profundidad
1.43mm
Corriente de Prueba
1mA
País de Origen
China
Datos del producto
Protectores de ESD, Vishay Semiconductor
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) conforme a los estándares IEC 61000