Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Dual
Tensión Residual Máxima
7.5V
Tensión Mínima de Ruptura
4V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tensión de Corte Inversa Máxima
3.3V
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
509W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
30A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 1.43 x 0.97mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacitancia
600pF
Longitud
3.1mm
Altura
0.97mm
Profundidad
1.43mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto
Protección contra ESD de dos líneas, serie GSOT, Vishay Semiconductor
Inmunidad ESD en conformidad con IEC 61000-4-2
Descarga de contacto de ±30 kV
Descarga de aire de ±30 kV
Transient Voltage Suppressors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
25
P.O.A.
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Dual
Tensión Residual Máxima
7.5V
Tensión Mínima de Ruptura
4V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tensión de Corte Inversa Máxima
3.3V
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
509W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
30A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 1.43 x 0.97mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacitancia
600pF
Longitud
3.1mm
Altura
0.97mm
Profundidad
1.43mm
Corriente de Prueba
1mA
Datos del producto
Protección contra ESD de dos líneas, serie GSOT, Vishay Semiconductor
Inmunidad ESD en conformidad con IEC 61000-4-2
Descarga de contacto de ±30 kV
Descarga de aire de ±30 kV