Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayConfiguración de diodo
Ánodo común
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión Residual Máxima
12.5V
Tensión Mínima de Ruptura
6V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
LLP75
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
6
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
200W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
12A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
5
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.65 x 1.65 x 0.6mm
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Altura
0.6mm
Ancho
1.65mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Longitud
1.65mm
País de Origen
China
Datos del producto
Protectores de ESD, Vishay Semiconductor
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) conforme a los estándares IEC 61000
Transient Voltage Suppressors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
50
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50
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VishayConfiguración de diodo
Ánodo común
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión Residual Máxima
12.5V
Tensión Mínima de Ruptura
6V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
LLP75
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
6
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
200W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
12A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
5
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
1.65 x 1.65 x 0.6mm
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Altura
0.6mm
Ancho
1.65mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Longitud
1.65mm
País de Origen
China
Datos del producto
Protectores de ESD, Vishay Semiconductor
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) conforme a los estándares IEC 61000