Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayEspectros Detectados
Infrarrojo
Tiempo de Bajada Típico
2.3µs
Typical Rise Time
2µs
Maximum Light Current
7500µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±20°
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
5mm (T-1 3/4)
Dimensiones del Cuerpo
5 (Dia.) x 8.6mm
Corriente del Colector
50mA
Diámetro
5mm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Emitter Collector Voltage
5V
Tensión del colector de emisión
70 (Min) V
Altura
8.6mm
Tensión de saturación
0.3V
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Fototransistores series BPW96B y BPW96C
Las series BPW96B y BPW96C, de Vishay Semiconductor, son una familia de fototransistores NPN de silicio. Disponen de encapsulados de 5 mm (T-1 3/4) de orificio pasante con una lente de plástico transparente. Esto permite que los fototransistores BPW96B y BPW96C sean sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. Las aplicaciones adecuadas para estos transistores incluyen detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.
Características de los fototransistores BPW96B y BPW96C:
Encapsulado de 5 mm (T-1 3/4)
Montaje en orificio pasante
Encapsulado de plástico transparente
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
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$ 482
Cada Uno (En una Bolsa de 1000) (Sin IVA)
$ 573,58
Cada Uno (En una Bolsa de 1000) (IVA Incluido)
1000
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Bolsa |
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1000 - 1000 | $ 482 | $ 482.000 |
2000+ | $ 453 | $ 453.000 |
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Especificaciones
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VishayEspectros Detectados
Infrarrojo
Tiempo de Bajada Típico
2.3µs
Typical Rise Time
2µs
Maximum Light Current
7500µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±20°
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
5mm (T-1 3/4)
Dimensiones del Cuerpo
5 (Dia.) x 8.6mm
Corriente del Colector
50mA
Diámetro
5mm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Emitter Collector Voltage
5V
Tensión del colector de emisión
70 (Min) V
Altura
8.6mm
Tensión de saturación
0.3V
País de Origen
Philippines
Datos del producto
Fototransistores series BPW96B y BPW96C
Las series BPW96B y BPW96C, de Vishay Semiconductor, son una familia de fototransistores NPN de silicio. Disponen de encapsulados de 5 mm (T-1 3/4) de orificio pasante con una lente de plástico transparente. Esto permite que los fototransistores BPW96B y BPW96C sean sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. Las aplicaciones adecuadas para estos transistores incluyen detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.
Características de los fototransistores BPW96B y BPW96C:
Encapsulado de 5 mm (T-1 3/4)
Montaje en orificio pasante
Encapsulado de plástico transparente
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos