Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, luz visible, rango onda λ 450 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont.

Código de producto RS: 700-0760Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: BPW85A
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Espectros Detectados

infrarrojo, Luz Visible

Tiempo de Bajada Típico

2.3µs

Typical Rise Time

2µs

Number of Channels

1

Corriente de Oscuridad Máxima

200nA

Ángulo de Sensibilidad Media

50 °

Polarity

NPN

Number of Pins

1

Tipo de montaje

Through Hole

Encapsulado

3 mm (T-1)

Dimensiones

3.4 x 3.4 x 4.5mm

Corriente del Colector

50mA

Rango Espectral de Sensibilidad

450 → 1080 nm

Mínima Longitud de Onda Detectada

450nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1080nm

Longitud

3.4mm

Profundidad

3.4mm

Altura

4.5mm

Datos del producto

Fototransistores serie BPW85

La serie BPW85 de Vishay Semiconductor es una familia de fototransistores NPN de silicio. Se suministran en encapsulados de plástico estándar de 3 mm (T-1) con una cúpula transparente. Los fototransistores BPW85 son sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. La serie BPW85, que incluye BPW85, BPW85A, BPW85B y BPW85C, es ideal para detectores en aplicaciones de circuitos de accionamiento y control electrónico.

Características de los fototransistores BPW85:
Encapsulado de 3 mm (T-1)
Montaje de orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 25 °
Temperatura de funcionamiento: -40 a +100 °C

IR Phototransistors, Vishay Semiconductor

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$ 487

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 579,53

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, luz visible, rango onda λ 450 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont.
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 4.870
20$ 9.740
30$ 14.610
40$ 19.480
50$ 24.350
60$ 29.220
70$ 34.090
80$ 38.960
90$ 43.830
100$ 34.000
110$ 37.400
120$ 40.800
130$ 44.200
140$ 47.600
150$ 51.000

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Producción -

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10

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10$ 4.870
20$ 9.740
30$ 14.610
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50$ 24.350
60$ 29.220
70$ 34.090
80$ 38.960
90$ 43.830
100$ 34.000
110$ 37.400
120$ 40.800
130$ 44.200
140$ 47.600
150$ 51.000

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 90$ 487$ 4.870
100 - 240$ 340$ 3.400
250 - 490$ 316$ 3.160
500 - 990$ 292$ 2.920
1000+$ 267$ 2.670

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Especificaciones

Brand

Vishay

Espectros Detectados

infrarrojo, Luz Visible

Tiempo de Bajada Típico

2.3µs

Typical Rise Time

2µs

Number of Channels

1

Corriente de Oscuridad Máxima

200nA

Ángulo de Sensibilidad Media

50 °

Polarity

NPN

Number of Pins

1

Tipo de montaje

Through Hole

Encapsulado

3 mm (T-1)

Dimensiones

3.4 x 3.4 x 4.5mm

Corriente del Colector

50mA

Rango Espectral de Sensibilidad

450 → 1080 nm

Mínima Longitud de Onda Detectada

450nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1080nm

Longitud

3.4mm

Profundidad

3.4mm

Altura

4.5mm

Datos del producto

Fototransistores serie BPW85

La serie BPW85 de Vishay Semiconductor es una familia de fototransistores NPN de silicio. Se suministran en encapsulados de plástico estándar de 3 mm (T-1) con una cúpula transparente. Los fototransistores BPW85 son sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. La serie BPW85, que incluye BPW85, BPW85A, BPW85B y BPW85C, es ideal para detectores en aplicaciones de circuitos de accionamiento y control electrónico.

Características de los fototransistores BPW85:
Encapsulado de 3 mm (T-1)
Montaje de orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: 25 °
Temperatura de funcionamiento: -40 a +100 °C

IR Phototransistors, Vishay Semiconductor

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