Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
5µs
Typical Rise Time
6µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
20000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
100nA
Ángulo de Sensibilidad Media
20 °
Polarity
NPN
Number of Pins
3
Tipo de montaje
Montaje en orificio pasante
Encapsulado
TO-18
Dimensiones del Cuerpo
5.5 x 5.5 x 6.15mm
Corriente del Colector
50mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Largo
5.5mm
Profundidad
5.5mm
Altura
6.15mm
Datos del producto
Fototransistores series BPW77NA y BPW77NB
Las series BPW77NA y BPW77NB de Vishay Semiconductor son una familia de fototransistores NPN de silicio. Están ubicados en encapsulados TO-18 herméticamente sellados con una lente de cristal. Los fototransistores BPW77NA y BPW77NB son sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. Son ideales para el uso como detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.
Características de los fototransistores BPW77NA y BPW77NB:
Encapsulado TO-18
4,7 mm de diámetro
Montaje en orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Temperatura de funcionamiento: -40 a +125 °C
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
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$ 1.493
Cada Uno (En una Bolsa de 5) (Sin IVA)
$ 1.776,67
Cada Uno (En una Bolsa de 5) (IVA Incluido)
5
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VishayEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
5µs
Typical Rise Time
6µs
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1
Maximum Light Current
20000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
100nA
Ángulo de Sensibilidad Media
20 °
Polarity
NPN
Number of Pins
3
Tipo de montaje
Montaje en orificio pasante
Encapsulado
TO-18
Dimensiones del Cuerpo
5.5 x 5.5 x 6.15mm
Corriente del Colector
50mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Largo
5.5mm
Profundidad
5.5mm
Altura
6.15mm
Datos del producto
Fototransistores series BPW77NA y BPW77NB
Las series BPW77NA y BPW77NB de Vishay Semiconductor son una familia de fototransistores NPN de silicio. Están ubicados en encapsulados TO-18 herméticamente sellados con una lente de cristal. Los fototransistores BPW77NA y BPW77NB son sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. Son ideales para el uso como detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.
Características de los fototransistores BPW77NA y BPW77NB:
Encapsulado TO-18
4,7 mm de diámetro
Montaje en orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Temperatura de funcionamiento: -40 a +125 °C