Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, luz visible, rango onda λ 450 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayEspectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
5µs
Tiempo de Subida Típico
6µs
Número de canales
1
Maximum Light Current
20000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
100nA
Ángulo de Sensibilidad Media
20 °
Polarity
NPN
Número de Pines
3
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-18
Dimensiones
5.5 x 5.5 x 6.15mm
Corriente del Colector
50mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Longitud
5.5mm
Anchura
5.5mm
Altura
6.15mm
Datos del producto
Fototransistores series BPW77NA y BPW77NB
Las series BPW77NA y BPW77NB de Vishay Semiconductor son una familia de fototransistores NPN de silicio. Están ubicados en encapsulados TO-18 herméticamente sellados con una lente de cristal. Los fototransistores BPW77NA y BPW77NB son sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. Son ideales para el uso como detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.
Características de los fototransistores BPW77NA y BPW77NB:
Encapsulado TO-18
4,7 mm de diámetro
Montaje en orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos
Temperatura de funcionamiento: -40 a +125 °C
IR Phototransistors, Vishay Semiconductor
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$ 25.560
$ 5.112 Cada Uno (En una Bolsa de 5) (Sin IVA)
$ 30.416
$ 6.083,28 Cada Uno (En una Bolsa de 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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1
Maximum Light Current
20000µA
Corriente de Oscuridad Máxima
100nA
Ángulo de Sensibilidad Media
20 °
Polarity
NPN
Número de Pines
3
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-18
Dimensiones
5.5 x 5.5 x 6.15mm
Corriente del Colector
50mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Longitud
5.5mm
Anchura
5.5mm
Altura
6.15mm
Datos del producto
Fototransistores series BPW77NA y BPW77NB
Las series BPW77NA y BPW77NB de Vishay Semiconductor son una familia de fototransistores NPN de silicio. Están ubicados en encapsulados TO-18 herméticamente sellados con una lente de cristal. Los fototransistores BPW77NA y BPW77NB son sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. Son ideales para el uso como detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.
Características de los fototransistores BPW77NA y BPW77NB:
Encapsulado TO-18
4,7 mm de diámetro
Montaje en orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
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