Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, luz visible, rango onda λ 450 → 1040 nm, corriente Ic 50mA, mont.

Código de producto RS: 700-0751PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: BPW17N
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Espectros Detectados

infrarrojo, Luz Visible

Tiempo de Bajada Típico

5µs

Typical Rise Time

4.8µs

Number of Channels

1

Maximum Light Current

1000µA

Corriente de Oscuridad Máxima

200nA

Ángulo de Sensibilidad Media

24 °

Polarity

NPN

Number of Pins

1

Tipo de montaje

Through Hole

Encapsulado

T-3/4

Dimensiones del Cuerpo

3.3 x 2.4 x 2.9mm

Corriente del Colector

50mA

Máxima Longitud de Onda Detectada

1040nm

Rango Espectral de Sensibilidad

450 → 1040 nm

Mínima Longitud de Onda Detectada

450nm

Longitud:

3.3mm

Profundidad

2.4mm

Altura

2.9mm

Datos del producto

Fototransistores serie BPW17N

La serie BPW17N, de Vishay Semiconductor, consiste en fototransistores NPN de silicio sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. Se suministran en encapsulados de orificio pasante de 1,8 mm (T-3/4) estándar. Los fototransistores BPW17N tienen una lente de plástico transparente con una parte superior plana. Los detectores en circuitos de accionamiento y control electrónico son aplicaciones ideales para los fototransistores BPW17N.

Características de los fototransistores BPW17N:
1,8 mm (T-3/4 encapsulado)
Montaje de orificio pasante
Elevada fotosensibilidad
Alta sensibilidad radiante
Tiempos de respuesta rápidos

IR Phototransistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

Fototransistor NPN Vishay sensible a IR, luz visible, rango onda λ 450 → 1040 nm, corriente Ic 50mA, mont.
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

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200nA

Ángulo de Sensibilidad Media

24 °

Polarity

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Encapsulado

T-3/4

Dimensiones del Cuerpo

3.3 x 2.4 x 2.9mm

Corriente del Colector

50mA

Máxima Longitud de Onda Detectada

1040nm

Rango Espectral de Sensibilidad

450 → 1040 nm

Mínima Longitud de Onda Detectada

450nm

Longitud:

3.3mm

Profundidad

2.4mm

Altura

2.9mm

Datos del producto

Fototransistores serie BPW17N

La serie BPW17N, de Vishay Semiconductor, consiste en fototransistores NPN de silicio sensibles a la radiación por infrarrojos visible y cercana. Se suministran en encapsulados de orificio pasante de 1,8 mm (T-3/4) estándar. Los fototransistores BPW17N tienen una lente de plástico transparente con una parte superior plana. Los detectores en circuitos de accionamiento y control electrónico son aplicaciones ideales para los fototransistores BPW17N.

Características de los fototransistores BPW17N:
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