MOSFET Vishay 2N7002K-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,4 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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$ 79
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 94,01
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,4 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Operación
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