Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
5 → 30mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
-40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-206AA
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
5.84 x 5.84 x 5.33mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+200 °C
Longitud
5.84mm
Altura
5.33mm
Profundidad
5.84mm
Datos del producto
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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P.O.A.
1
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VishayTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
5 → 30mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
-40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-206AA
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
5.84 x 5.84 x 5.33mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+200 °C
Longitud
5.84mm
Altura
5.33mm
Profundidad
5.84mm
Datos del producto
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.