Vishay Siliconix TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SQS944ENW-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
27.8 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
3.15mm
Largo
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.07mm
País de Origen
China
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$ 1.140.000
$ 380 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 1.356.600
$ 452,20 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
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27.8 W
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±20 V
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3.15mm
Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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