Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 250 A, 40 V, 7-Pin D2PAK SQM40016EM_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
250 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.83mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
163 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
11.3mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
Taiwan, Province Of China
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$ 1.450.400
$ 1.813 Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
$ 1.725.976
$ 2.157,47 Each (On a Reel of 800) (IVA Inc.)
800
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N
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TrenchFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.83mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
163 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
11.3mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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