Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJA76EP-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8L
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
66 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
66 nC a 10 V
Altura
1.07mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
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$ 2.031.000
$ 677 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 2.416.890
$ 805,63 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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N
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Tipo de Encapsulado
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Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
66 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.99mm
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66 nC a 10 V
Altura
1.07mm
Temperatura Mínima de Operación
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