Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 24.5 A, 150 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ872EP-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
24.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8L
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
55000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Altura
1.07mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
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$ 1.947.000
$ 649 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 2.316.930
$ 772,31 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8L
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
55000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Altura
1.07mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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