Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ481EP-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8L
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.07mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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$ 1.338.000
$ 446 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 1.592.220
$ 530,74 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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P
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PowerPAK SO-8L
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
90 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
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±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Estándar de automoción
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