Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ415EP-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8L
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Estándar de automoción
AEC-Q101
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.07mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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$ 1.419.000
$ 473 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 1.688.610
$ 562,87 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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P
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Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8L
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Largo
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63 nC a 10 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
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