Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK SQD40061EL_GE3

Código de producto RS: 178-3960Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: SQD40061EL_GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

107000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

2.38mm

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

185 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Altura

6.22mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.5V

País de Origen

Taiwan, Province Of China

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$ 14.880

$ 1.488 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 17.707

$ 1.770,72 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK SQD40061EL_GE3
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Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 14.880
20$ 29.760
30$ 44.640
40$ 59.520
50$ 74.400
60$ 89.280
70$ 104.160
80$ 119.040
90$ 133.920
100$ 126.500
110$ 139.150
120$ 151.800
130$ 164.450
140$ 177.100
150$ 189.750

$ 14.880

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10

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20$ 29.760
30$ 44.640
40$ 59.520
50$ 74.400
60$ 89.280
70$ 104.160
80$ 119.040
90$ 133.920
100$ 126.500
110$ 139.150
120$ 151.800
130$ 164.450
140$ 177.100
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 90$ 1.488$ 14.880
100 - 490$ 1.265$ 12.650
500 - 990$ 1.118$ 11.180
1000+$ 969$ 9.690

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Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

107000 mW

Configuración de transistor

Single

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±20 V

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1

Profundidad

2.38mm

Longitud

6.73mm

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Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

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