Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK SQD40031EL_GE3

Código de producto RS: 178-3950Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: SQD40031EL_GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

136000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

2.38mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

186 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Altura

6.22mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.5V

País de Origen

Taiwan, Province Of China

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$ 16.020

$ 1.602 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 19.064

$ 1.906,38 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK SQD40031EL_GE3
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Estándar

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 16.020
20$ 32.040
30$ 48.060
40$ 64.080
50$ 80.100
60$ 96.120
70$ 112.140
80$ 128.160
90$ 144.180
100$ 136.400
110$ 150.040
120$ 163.680
130$ 177.320
140$ 190.960
150$ 204.600

$ 16.020

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$ 19.064

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10

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10$ 16.020
20$ 32.040
30$ 48.060
40$ 64.080
50$ 80.100
60$ 96.120
70$ 112.140
80$ 128.160
90$ 144.180
100$ 136.400
110$ 150.040
120$ 163.680
130$ 177.320
140$ 190.960
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 90$ 1.602$ 16.020
100 - 490$ 1.364$ 13.640
500 - 990$ 1.202$ 12.020
1000+$ 1.043$ 10.430

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P

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100 A

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Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

136000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

2.38mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

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