Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK SQD40031EL_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
136000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
2.38mm
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
186 nC a 10 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Altura
6.22mm
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$ 1.792.000
$ 896 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
$ 2.132.480
$ 1.066,24 Each (On a Reel of 2000) (IVA Inc.)
2000
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P
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Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
136000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
2.38mm
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
186 nC a 10 V
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