Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 6-Pin SC-70-6L SQA405EJ-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SC-70-6L
Series
TrenchFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
13.6 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
2.2mm
Altura
1mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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$ 567.000
$ 189 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 674.730
$ 224,91 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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P
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6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
13.6 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Material del transistor
Si
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1
Largo
2.2mm
Altura
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