Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 10 A, 30 V, 6-Pin SC-70-6L SQA403EJ-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
SC-70-6L
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
13.6 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Largo
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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$ 651.000
$ 217 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 774.690
$ 258,23 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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P
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Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
SC-70-6L
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
13.6 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Largo
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
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