Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 2.68 A, 20 V, 6-Pin SC-70-6L SQA401EEJ-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2,68 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
SC-70-6L
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
13.6 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,2 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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$ 729.000
$ 243 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 867.510
$ 289,17 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2,68 A
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20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
SC-70-6L
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
13.6 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4,2 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
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AEC-Q101
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