Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.46V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
$ 16.175
$ 647 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 19.248
$ 769,93 Each (In a Pack of 25) (IVA Inc.)
Estándar
25
$ 16.175
$ 647 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 19.248
$ 769,93 Each (In a Pack of 25) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
Estándar
25
Volver a intentar más tarde
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 25 - 75 | $ 647 | $ 16.175 |
| 100 - 475 | $ 457 | $ 11.425 |
| 500 - 975 | $ 381 | $ 9.525 |
| 1000+ | $ 324 | $ 8.100 |
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.46V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos