N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay Siliconix SQ2364EES-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Serie
TrenchFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.46V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
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$ 399
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 474,81
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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N
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2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Serie
TrenchFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.46V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
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