MOSFET Vishay Siliconix SIZF916DT-T1-GE3, VDSS 30 V, PowerPAIR de 6 x 5 de 8 pines, 2elementos

Código de producto RS: 178-3705Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: SIZF916DT-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A (canal 1), 60 A (canal 2)

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAIR de 6 x 5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.4V

Disipación de Potencia Máxima

26,6 W, 60 W.

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+16 V, +20 V, -12 V, -16 V.

Ancho

6mm

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14,6 (canal 1) nC a 10 V, 62 (canal 2) nC a 10 V

Altura

0.7mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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N

Maximum Continuous Drain Current

40 A (canal 1), 60 A (canal 2)

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Serie

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAIR de 6 x 5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.4V

Disipación de Potencia Máxima

26,6 W, 60 W.

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+16 V, +20 V, -12 V, -16 V.

Ancho

6mm

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14,6 (canal 1) nC a 10 V, 62 (canal 2) nC a 10 V

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