MOSFET Vishay Siliconix SiZ348DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR de 3 x 3 de 8 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAIR de 3 x 3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
16.7 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-16 V, +20 V
Profundidad
3mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,1 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
2
Altura
0.75mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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$ 1.503.000
$ 501 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 1.788.570
$ 596,19 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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N
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Series
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Tipo de Encapsulado
PowerPAIR de 3 x 3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
16.7 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-16 V, +20 V
Profundidad
3mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,1 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
2
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