MOSFET Vishay Siliconix SiSH402DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 35 A, 1212 de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
1212
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.15V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.15mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.07mm
Serie
TrenchFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
1212
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.15V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
3.15mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.07mm
Serie
TrenchFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China