MOSFET Vishay Siliconix SiSH402DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 35 A, 1212 de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 178-3696Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: SiSH402DN-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

1212

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.15V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

3.15mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Longitud

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

28 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.07mm

Serie

TrenchFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

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P.O.A.

MOSFET Vishay Siliconix SiSH402DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 35 A, 1212 de 8 pines, config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

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3000P.O.A.
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15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
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N

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Tipo de Encapsulado

1212

Tipo de montaje

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.15V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.2V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

3.15mm

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1

Material del transistor

Si

Longitud

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

28 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

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