MOSFET Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 14,2 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 178-3962Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: SiS110DN-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

14,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

70 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

4V

Disipación de Potencia Máxima

24000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Largo

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,5 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

3.15mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.07mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

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$ 6.250

$ 250 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)

$ 7.438

$ 297,50 Each (In a Pack of 25) (IVA Inc.)

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Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25$ 6.250
50$ 12.500
75$ 18.750
100$ 25.000
125$ 31.250
150$ 37.500
175$ 43.750
200$ 50.000
225$ 56.250
250$ 62.500
275$ 68.750
300$ 75.000
325$ 81.250
350$ 87.500
375$ 93.750

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70 mΩ

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Mejora

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2V

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4V

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Si

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