MOSFET Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 14,2 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
14,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
4V
Disipación de Potencia Máxima
24000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.15mm
Largo
3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.07mm
País de Origen
China
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$ 756.000
$ 252 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 899.640
$ 299,88 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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N
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Tipo de montaje
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
24000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
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1
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3.15mm
Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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