MOSFET Vishay Siliconix SiRA10BDP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Serie
TrenchFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
43000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-16 V, +20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24,1 nC a 10 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
1.07mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Serie
TrenchFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.4V
Disipación de Potencia Máxima
43000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-16 V, +20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24,1 nC a 10 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
1.07mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C