MOSFET Vishay Siliconix SiRA10BDP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 178-3688Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: SiRA10BDP-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.4V

Disipación de Potencia Máxima

43000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +20 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

5.99mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

24,1 nC a 10 V

Ancho

5mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.1V

Altura

1.07mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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N

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60 A

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PowerPAK SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.4V

Disipación de Potencia Máxima

43000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-16 V, +20 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

5.99mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

24,1 nC a 10 V

Ancho

5mm

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