MOSFET Vishay Siliconix SiA110DJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 12 A, SC-70 de 6 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SC-70, SOT
Serie
TrenchFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
19 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,5 nC a 10 V
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SC-70, SOT
Serie
TrenchFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
19 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,5 nC a 10 V
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China