MOSFET Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 12 A, SC-70-6L de 6 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 178-3901Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: SiA106DJ-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

12 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SC-70-6L

Series

TrenchFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

19 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,9 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

1.35mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1mm

País de Origen

China

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$ 8.760

$ 876 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 10.424

$ 1.042,44 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)

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Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10$ 8.760
20$ 17.520
30$ 26.280
40$ 35.040
50$ 39.450
60$ 47.340
70$ 55.230
80$ 63.120
90$ 71.010
100$ 74.300
110$ 81.730
120$ 89.160
130$ 96.590
140$ 104.020
150$ 111.450

$ 8.760

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10

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10$ 8.760
20$ 17.520
30$ 26.280
40$ 35.040
50$ 39.450
60$ 47.340
70$ 55.230
80$ 63.120
90$ 71.010
100$ 74.300
110$ 81.730
120$ 89.160
130$ 96.590
140$ 104.020
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 40$ 876$ 8.760
50 - 90$ 789$ 7.890
100 - 490$ 743$ 7.430
500 - 990$ 698$ 6.980
1000+$ 613$ 6.130

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N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

12 A

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SC-70-6L

Series

TrenchFET

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

19 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.2mm

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8,9 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

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