MOSFET Vishay Siliconix Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14,4 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 178-3875Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: Si7190ADP-T1-RE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

14.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

250 V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

110 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

56.8 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

5mm

Largo

5.99mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14,9 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.07mm

País de Origen

China

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$ 10.775

$ 2.155 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 12.822

$ 2.564,45 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)

MOSFET Vishay Siliconix Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14,4 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 10.775
10$ 21.550
15$ 32.325
20$ 43.100
25$ 53.875
30$ 64.650
35$ 75.425
40$ 86.200
45$ 96.975
50$ 89.800
55$ 98.780
60$ 107.760
65$ 116.740
70$ 125.720
75$ 134.700

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5

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30$ 64.650
35$ 75.425
40$ 86.200
45$ 96.975
50$ 89.800
55$ 98.780
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 45$ 2.155$ 10.775
50 - 95$ 1.796$ 8.980
100 - 495$ 1.395$ 6.975
500 - 995$ 1.222$ 6.110
1000+$ 1.062$ 5.310

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N

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Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

110 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

56.8 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

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1

Profundidad

5mm

Largo

5.99mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14,9 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

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