MOSFET Vishay Siliconix Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14,4 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
14.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
56.8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5mm
Largo
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,9 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.07mm
País de Origen
China
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
$ 3.006.000
$ 1.002 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 3.577.140
$ 1.192,38 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
$ 3.006.000
$ 1.002 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 3.577.140
$ 1.192,38 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
3000
Volver a intentar más tarde
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
14.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
56.8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5mm
Largo
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,9 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.07mm
País de Origen
China
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos