MOSFET Vishay Siliconix Si7172ADP-T1-RE3, VDSS 200 V, ID 17,2 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
17.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Longitud
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19,5 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Ancho
5mm
Serie
TrenchFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
1.07mm
País de Origen
China
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
$ 861
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 1.024,59
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 861
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 1.024,59
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
17.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
52000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Longitud
5.99mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19,5 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Ancho
5mm
Serie
TrenchFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
1.07mm
País de Origen
China
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos