MOSFET Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 178-3853Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: Si2319DDS-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

100 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.7 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12,5 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.02mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

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$ 8.350

$ 167 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)

$ 9.936

$ 198,73 Each (In a Pack of 50) (IVA Inc.)

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Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 8.350
100$ 16.700
150$ 25.050
200$ 33.400
250$ 41.750
300$ 50.100
350$ 58.450
400$ 66.800
450$ 75.150
500$ 83.500
550$ 91.850
600$ 100.200
650$ 108.550
700$ 116.900
750$ 125.250

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350$ 58.450
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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

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1V

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1.7 W

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Single

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Material del transistor

Si

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